はじめに
電磁場のエネルギーについて考えてみる。
ジュール熱生成速度
媒質が真空で、電磁場中に置かれた電子について考える。
電子を一定の速度で\(\Delta\boldsymbol{r}\)動かすには
電子に外力\(-e\boldsymbol{E}\)加える必要がある。
速度の向きを一定にするには磁場による
ローレンツ力を考慮しないといけないが 電子の運動方向と
直交するのでエネルギーのやりとりは無い。
電子に与える仕事は $$ \Delta{W_e} = -e\boldsymbol{E}\cdot\Delta\boldsymbol{v} $$
電子が\(\Delta{r}\)移動するのにかかった時間を\(\Delta{t}\)とすると
単位時間あたり
$$
\frac{dW_e}{dt} = -e\boldsymbol{E}\cdot\frac{d\boldsymbol{r}}{dt} = -e\boldsymbol{E}\cdot\boldsymbol{v}
$$
これだけ電子にエネルギーを加える必要がある。
電子密度をnとして単位時間・単位体積あたり電子に加えるにに
必要なエネルギーは
$$ \frac{dw}{dt} = -ne\boldsymbol{E}\cdot\boldsymbol{v} = - \boldsymbol{j}\cdot\boldsymbol{E} \cdot\cdot\cdot(1) $$
この電子が抵抗のある金属中を移動している場合は、
電子に加えたエネルギーはジュール熱として散逸してしまう。
よって\(\boldsymbol{j}\cdot\boldsymbol{E}\)はジュール熱の生成速度を表している。
今考えているのは真空中での電子の動きなので散逸は起こらない。
\(\boldsymbol{j}\)をマクスウェル方程式で消去する。
アンペール・マクスウェルの法則は $$ \nabla\times\boldsymbol{B} = \mu_0\boldsymbol{j} + \varepsilon_0\mu_0\frac{\partial}{\partial{t}}\boldsymbol{E} $$
なので、これを変形して
$$ \boldsymbol{j} = \frac{1}{\mu_0}\nabla\times\boldsymbol{B} - \varepsilon_0\frac{\partial}{\partial{t}}\boldsymbol{E} $$
これを(1)式に代入して $$ \frac{dw}{dt} = -\frac{1}{\mu_0}(\nabla\times\boldsymbol{B})\cdot\boldsymbol{E} + \varepsilon_0\frac{\partial\boldsymbol{E}}{\partial{t}}\cdot\boldsymbol{E} $$
これは単位時間・単位体積あたりのジュール熱を考えているんで、
体積Vの領域での単位時間あたりのエネルギーを考えてみる
$$ \begin{align} \frac{dW}{dt} &= \int \frac{dw}{dt}dV \\ &= -\frac{1}{\mu_0}\int(\nabla\times\boldsymbol{B})\cdot\boldsymbol{E}dV + \int\varepsilon_0\frac{\partial\boldsymbol{E}}{\partial{t}}\cdot\boldsymbol{E}dV \cdot\cdot\cdot(2) \end{align} $$
ここでベクトルの公式を使う $$ (\nabla\times\boldsymbol{B})\cdot\boldsymbol{E} = -\nabla\cdot(\boldsymbol{E}\times\boldsymbol{B}) + \boldsymbol{B}\cdot(\nabla\times\boldsymbol{E}) $$
(2)式の第一項を上の公式を使って整理して
$$ \begin{align} \int(\nabla\times\boldsymbol{B})\cdot\boldsymbol{E}dV &= -\int_V \nabla\cdot(\boldsymbol{E}\times\boldsymbol{B})dV + \int \boldsymbol{E}\cdot(\nabla\times\boldsymbol{E}) dv \\ &= -\int_{\partial{V}} (\boldsymbol{E}\times\boldsymbol{B})\cdot\boldsymbol{n} dS - \int\boldsymbol{B}\cdot\frac{\partial\boldsymbol{B}}{\partial{t}}dV \end{align} \cdot\cdot\cdot(3) $$
(3)の第一項にはガウスの発散定理 を用いて
$$
\int_{V} \nabla\cdot\boldsymbol{E}(\boldsymbol{r})dV = \int_S\boldsymbol{E}(\boldsymbol{r})\cdot\boldsymbol{n}(\boldsymbol{r}) dS
$$
(3)の第二項にはファラデーの電磁誘導の法則
$$ \nabla\times\boldsymbol{B} = - \frac{\partial\boldsymbol{B}}{\partial{t}} $$
を用いた。
(2)式に(3)式を代入して
$$ \frac{dW}{dt} = \int_{\partial{V}} \mu_0 (\boldsymbol{E}\times\boldsymbol{B})\cdot\boldsymbol{n} dS + \frac{d}{dt} \int_V(\frac{\varepsilon_0}{2}\boldsymbol{E}^2 + \frac{1}{2\mu_0}\boldsymbol{B}^2) dV $$
となる。第一項の面積分は考えている体積Vの領域の表面から単位時間に出て行くエネルギーを表し
第一項の被積分部分をポインティングベクトルと言って
$$
\boldsymbol{S} \equiv \frac{1}{\mu_0}\boldsymbol{E}\times\boldsymbol{B}
$$
で表す。
第二項は電磁場のエネルギーの時間変化率を示している。よってエネルギー密度は $$ u = \frac{\varepsilon_0}{2}\boldsymbol{E}^2 + \frac{1}{2\mu_0}\boldsymbol{B}^2 $$
時間に依存する系であれば電磁場はエネルギーを持っていて無視できない。
<参考文献>
- 作者: 横山順一
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